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HiPerFET TM
Power MOSFETs
Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
IXFL 44N60
V DSS =
I D25 =
R DS(on) =
t rr ≤ 250 ns
600 V
41 A
130 m ?
Preliminary data sheet
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS-264 TM
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
600
V
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
600
± 20
± 30
V
V
V
G
D
S
(Backside)
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
41
176
44
A
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T J
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.63 in) from case for 10 s
60
3
5
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
-
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<30pF)
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
V ISOL
M d
Weight
50/60 Hz, RMS t = 1 min
I ISOL ≤ 1 mA t=1s
Mounting torque
Terminal connection torque
2500 V~
3000 V~
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
8
g
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Fast intrinsic Rectifier
Applications
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
power supplies
DC choppers
AC motor control
V DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
600
V
Advantages
V GH(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2.5
4.5 V
± 200 nA
100 μ A
2 mA
Easy assembly
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = I T
Notes 1, 2
130 m ?
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99092(10/03)
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